上海市2012年度“科技创新行动计划”高新技术领域项目指南
为进一步提升上海科技创新能力，围绕“创新驱动，转型发展”主线，根据国家和上海的中长期科技发展规划、“十二五”科技规划，推进上海高新技术领域的科技进步，提升产业创新能力，上海市科学技术委员会特发布本指南。
一、征集范围
（一）前瞻关键技术研究与应用
1、激光与光通讯领域
专题1、基于大功率发光二极管的光通讯关键技术研究
研究目标：利用大功率发光二极管的可见光谱资源，建立直射与非直射环境下的光通讯实验系统，实现照明与通讯的功能复用。
研究内容：（1）基于大功率发光二极管的全光波分提取、自适应接收、弱小信号检测、光谱迁移补偿等技术，及光通讯收发模组。（2）基于照明、通讯复用环境下的光信道均衡、波分复用等应用技术，及直射光条件下高速光通讯试验系统。（3）室内可见光无线通讯异构网络融合技术，在非直射光条件下不低于100Mbps的室内光通讯组网试验系统及演示验证。
专题2、新型面激光光源的关键器件研制
研究目标：研制用于泵浦新型面激光光源的电子束系统，突破电子束大束流和小束斑相互约束的限制条件，掌握相应的电子光学系统设计制造技术，满足半导体面激光红、蓝、绿色光源功率分别为3W、2W、2W的产品指标。
研究内容：（1）强束流达到极小束斑的磁聚焦系统。（2）强束流偏转的低像差偏转系统，及任意校正波形的高精度像差控制电路。
2、智能传感领域
专题1、MEMS产业化关键技术及重点产品的研究
研究目标：针对高端智能手机等消费电子、汽车、资源环境等市场需求，形成MEMS产品中试平台和规模生产制造能力，研制出相关系列MEMS产品，形成规模化生产能力，培育IDM模式企业。
研究内容：（1）基于CMOS 工艺的加速度传感器和陀螺仪传感器MEMS工艺技术，及用于高端智能手机的3轴加速度传感器和3轴陀螺仪传感器芯片。（2）基于定向磁阻（AMR）技术的磁传感器工艺，及用于高端智能手机的3轴AMR磁传感器芯片。（3）用于控制高端智能手机中加速度传感器、陀螺仪传感器、磁传感器的ASIC控制芯片。（4）兼容CMOS工艺的MEMS技术和相关智能手机产品解决方案。
