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商务部公告2012年第40号――对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅进行反倾销立案调查的公告


  一、立案调查及调查期

  自本公告发布之日起,商务部对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅产品进行反倾销调查,本次调查确定的倾销调查期为2011年7月1日至2012年6月30日,产业损害调查期为2008年1月1日至2012年6月30日。

  二、被调查产品及调查范围

  调查范围:原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅。

  被调查产品名称:太阳能级多晶硅。英文名称:Solar-Grade Polysilicon。

  被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。

  被调查产品电学参数为:基磷电阻率<300欧姆·厘米(Ω ·cm);基硼电阻率<2600欧姆·厘米(Ω ·cm);碳浓度>1.0×1016(at/cm3);n型少数载流子寿命<500μs;施主杂质浓度>0.3×109;受主杂质浓度>0.083×109 。

  主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅光伏电池的主要原料。

  该产品归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190。该税则号项下电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。

  三、登记应诉

  就倾销调查,任何利害关系方可于本公告发布之日起20天内,向商务部进出口公平贸易局申请参加应诉,参加应诉的涉案出口商或生产商应同时提供2011年7月1日至2012年6月30日向中国出口本案被调查产品的数量及金额。《倾销调查应诉登记参考格式》可在中华人民共和国商务部网站进出口公平贸易局子网站(网址为http://gpj.mofcom.gov.cn)"案件动态"栏目下载。

  就产业损害调查,利害关系方可自本公告发布之日起20天内向商务部产业损害调查局登记应诉,同时应提供产业损害调查期内的生产能力、产量、库存、在建和扩建计划以及向中国出口本案被调查产品的数量和金额等说明材料。《参加太阳能级多晶硅产品反倾销案产业损害调查活动申请表》可在"中国贸易救济信息网"上应诉登记栏目(网址为:http://www.cacs.gov.cn)下载。

  四、不登记应诉

  如利害关系方未在本公告规定的时间内向商务部登记应诉,则商务部有权拒绝接受其递交的有关材料,并有权根据所掌握的现有材料作出裁定。


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