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附件1：
金太阳示范工程关键设备基本要求（2012年）
一、电池组件
（一）性能要求
1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）≥14.5%，非晶硅薄膜组件≥7%，CIGS薄膜组件≥10%。
2、工作温度范围为-40℃～＋85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率。
3、使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。
4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照GB/T9535（或IEC61215）和GB/T18911（或IEC61646）以及GB/T20047（或IEC61730） 标准要求，通过国家批准认证机构的认证，关键部件和原材料（电池片、封装材料、玻璃面板、背板材料、焊接材料、接线盒和接线端子等）型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。
（二）生产企业资质要求
1、在中华人民共和国注册的独立法人，注册资本金在1亿元人民币以上。
2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产检验能力不低于500 MWp，2011年实际发货量不低于300MWp（以海关报关单或销售发票为准）。非晶硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于50MWp，CIGS薄膜组件企业的生产检验能力不低于30MWp。
3、配备AAA级太阳模拟器、组件隐裂测试设备、高低温环境试验箱等关键检验设备。
4、2009-2011年无重大质量投诉或合同违约责任。
二、并网逆变器
（一） 性能要求
1、无隔离变压器型逆变器最大转换效率≥97%，含变压器型逆变器最大转换效率≥95%。
2、逆变器输出功率大于其额定功率的50%时，功率因数应不小于0.98，输出有功功率在20%-50%之间时，功率因数不小于0.95。
3、逆变器应具有电网过/欠压保护、过/欠频保护、防孤岛保护、恢复并网保护、过流保护、极性反接保护、过载保护功能和绝缘阻抗监测、残余电流监测功能，电磁兼容性能应满足相应的环境使用要求。
4、按照CNCA/CTS0004-2009A《并网光伏发电专用逆变器技术条件》要求，通过国家批准认证机构的认证，关键器件和原材料（IGBT、变压器、滤波器等）型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。
5、质保期不低于2年。
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