|
比例： PH3/H2（15%）； 纯度： PH3：99.9950%， H2： 99.9995% | 28500000/28480000 | |
| 35 | 乙硼烷/B2H6 | Gas（B2H6/H2） | 比例： B2H6/H2（5%）； 纯度： B2H6： 9.9950%， H2： 99.9995%
比例： B2H6/H2（40%）； 纯度： B2H6： 99.9950%， H2： 99.9995% | 28500000 | |
| 36 | 三氟化氮 | Gas（NF3） | 纯度： 99.99% | 28129000 | 免税截至2010.12.31 |
| 37 | 氪气 | Gas（Kr） | 纯度： 99.999% | 28042100 | |
| 38 | 四乙基原硅酸盐 | Gas（TEOS） | | 28399000 | |
| 39 | 高纯氙 | Gas（Xe） | 纯度： 99.999% | 28042900 | |
| 40 | 激光退火用混合气体 | HCL＋H2＋Ne | 比例： 5%HCl＋1%H2＋94%Ne； 纯度： HCL： 99.9990%， H2： 99.9995%， Ne： 99.9990% | 28042900 | |
| 41 | 氯气 | Gas（CL2） | 纯度：99.99% | 28011000 | |
| 42 | 刻蚀液 | 刻蚀液 | AL刻蚀液 | Etachant（AL） | 电子纯 0.5um以上杂质＜30个/ml | 28092010/38101000 | |
| 43 | 钼刻蚀液 | Etachant（MO\MOW） | 电子纯 0.5um以上杂质＜30个/ml | 38101000 | |
| 44 | 光刻工艺用化学品 | 显影液/光刻胶/去胶液/增粘剂/稀释剂/静电防止剂 | 四甲基氢氧化铵 | TMAH | 电子级 浓度：TMAH：2.380±0.03；Na＜1ppb；Fe＜ 1ppb | 37079010/37079090 | |
| 45 | 光刻胶 | Photo Resist | 敏感度 ＞20mJ （g line）， 最大加工温度 ＜ 130oC， 解析度 ＜ 1.5 mm | 37071000 | |
| 46 | 湿法剥离液/剥离液 | Strip（Stripper） | 电子纯 Cl＜0.005%；PO4＜0.001%；SiO2＜0.01%；SO4＜0.002%；Na＜0.5%；Mg＜0.005%；Ca＜0.002%；Zn＜0.001%；0.5um以上异物＜30个/ml | 38140000/38249090 | |
| 47 | 显影液 | Developer | 电子级 浓度：2.380±0.03；Na＜1ppb；Fe＜ 1ppb； 0.3um以上异物＜100个/ml | 32049090/38249090 | |
| 48 | 光刻工艺用化学品 | 显影液/光刻胶/去胶液/增粘剂/稀释剂/静电防止剂 | 脱膜液 | Stripper | 电子纯 Cl＜0.005%；PO4＜0.001%；SiO2＜0.01%；SO4＜0.002%； Na＜0.5%；Mg＜0.005%； Ca＜0.002%；Zn＜0.001%； 0.5um以上异物＜30个/ml | 32049090/38249090 | |
| 49 | 化学洗剂 | 玻璃基板洗剂/PI洗剂/液晶洗剂 | 非离子界面活性剂 | Nonionics Modifier/Additive/Buffered Etch | 电子纯 0.5um以上异物＜30个/ml | 34021300 | |
| 50 | 清洗剂 | Cleaner | 电子纯 P：0.90%；N：0.37% 砷（按As2O6）未检出（检测限在0.05mg /升）； 0.3um以上异物＜100个/ml | 34021900 | |
| 51 | 清洗液 | Washer | 电子纯 P：0.90%；N：0.37% 砷（按As2O6）未检出（检测限在0.05mg /升）； 0.3um以上异物＜100个/ml | 38101000 | |
| 52 | 掩模板清洗液 | Mask resiner | 电子纯 0.3um以上异物＜100个/ml | 38101000 | |
| 53 | 集成电路基板 | 集成电路基板 | 驱动芯片 | DRIVER IC | TCP/COG OLED IC | 84733010 | |
