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集成电路布图设计保护法比较研究[1]

  《中国布图设计条例》第三十三条规定:
  在获得含有受保护的布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品时,不知道也没有合理理由应当知道其中含有非法复制的布图设计,而将其投入商业利用的,不视为侵权。
  前款行为人得到其中含有非法复制的布图设计的明确通知后,可以继续将现有的存货或者此前的订货投入商业利用,但应当向布图设计权利人支付合理的报酬。
  4.非自愿许可
  1989年5月8日至26日,世界知识产权组织在主持制定《关于集成电路的知识产权条约》时,非自愿许可是发达国家与发展中国家争论的一个焦点之一,发展中国家经过不懈努力争取到稍微宽松一点的非自愿许可的条件,这个条件是“第三者按商业惯例经过努力而未经取得权利持有人许可”,而国家主管机关根据第三者的申请“认为授予非自愿许可对于维护其视为重大的国家利益是必要的”[20]但是,在制定Trips时,由于发达国家代表的强烈主张,非自愿许可条件做了更为严格的限制,其条件与专利非自愿许可的条件相同。[21]根据Trips协议,我国也将非自愿许可的条件限制在下列三种情况:国家出现紧急状态,为了公共利益目的和权利人不正当竞争。《中国布图设计条例》第二十五条规定:在国家出现紧急状态或者非常情况时,或者为了公共利益的目的,或者经人民法院、不正当竞争行为监督检查部门依法认定布图设计权利人有不正当竞争行为而需要给予补救时,国务院知识产权行政部门可以给予使用其布图设计的非自愿许可。
  
  六、 保护期限和布图设计登记
  
  保护期限也是发达国家与发展中国家争论的焦点之一,《美国芯片法》规定保护期为10年。[22]在讨论《关于集成电路的知识产权条约》时,经发展中国家的共同努力,争取到了保护期至少为8年的规定,[23]但到了Trips谈判时,发达国家的主张又使保护期延长到了10年。[24]我国根据Trips的要求将保护期规定为10年。《中国布图设计条例》第十二条规定:布图设计专有权保护期为10年,自布图设计登记之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但是,无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起15年后,不再受本条例保护。
  知识产权权利的产生大致可以分为3种制式:(1)自动保护制,我国和世界上绝大多数国家的版权制度采用这种制式,其权利的产生基于作品创作完成这一法律事实;(2)实审授权制,我国的发明专利和世界上绝大多数国家的专利制度采用这种制式,其权利的产生基于主管当局对当事人申请保护的内容进行实质性审查,符合法律规定的才授予专利权;(3)登记制,其权利的产生基于当事人的登记申请和主管当局对申请文件和材料作形式审查,形式上符合法律规定的则准予登记并产生权利。我国的实用新型和外观设计专利“初步审查制”与登记制类似,它除对申请文件形式审查外,对申请的内容也做了明显性审查,如申请主题是否明显在法定范围之外,申请内容是否明显违反公序良俗等。登记制有利于管理,有利于证据的获取,有利于公示和减少纠纷,而且申请手续简单方便,比较符合集成电路技术的发展速度。中国、美国和大多数国家对集成电路布图设计保护均采用登记制,《华盛顿条约》和Trips协议对此没有强制性规定。


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