生产集成电路芯片实际上就是将这组掩膜嵌入（三维复制）到硅片或其他半导体材料中，目前集成电路芯片的制造主要是用硅（半导体）作材料，它是在硅单晶片上按光掩膜上的图形利用生长和沉积等技术一层一层地做。因此，一个芯片上的光掩膜是一组而不是一张，这样一组光掩膜就呈现一个三维的图形。版图设计师所要做的就是根据半导体芯片制作原理将各个电路在空间的位置作出合理的安排，即把二维的电路图变成一个三维的图形，这个三维的图形是用分层来表示的。将二维电路图转换成这样一组光掩膜是个很耗费时间的过程，也是开发芯片的主要投资。相对而言，从芯片上将这组光掩膜复制出来就显得容易得多，所需的主要设备就是一个精密的高放大倍数的照相机，例如可放大400倍的照相机。[13]复制者拿来一块半导体芯片，想法将塑料或陶瓷的外壳打开，用照相机把顶上的金属联接层照下来之后，用酸把这层金属溶解掉，这样就可以照下面那层的半导体材料的图形，照完了后改变一下照相机上的焦距再照更下一层。如此一步一步做下去就可以得到一个与原光掩膜完全相同的复制品，用这样的复制品作适当的技术修整就可以去生产同样的芯片。
集成电路布图设计的保护客体有不同的称谓，但其本质并无太大差别，美国称为掩膜作品（mask work）,中国、瑞典、俄罗斯、韩国称为布图设计（layout-design），日本称为电路布图(circuit layout)，欧共体、英国、德国、荷兰、法国、丹麦、西班牙、奥地利、卢森堡、意大利、葡萄牙、比利时、匈牙利称为拓朴图（topographies）, 《华盛顿条约》、Trips及我国香港则干脆将布图设计与拓朴图视为同义词，统称为布图设计（拓朴图），英文为layout-design(topographies)。《美国芯片法》编入美国17U.S.Code的第九章（17U.S.Code的前八章是版权法），其注册等有关手续也由版权局管理，但它是自成一类的，并不属于版权法。《美国芯片法》为什么采取类似于版权法的保护方式，而不采取类似于
专利法的保护方式？美国当年的专利商标局长Gerald Mossinghoff 在众议院听证会上是这样说的：“专利保护适用于制造芯片本身，如果这些方法、线路或产品本身符合专利性要求的话。电子专利本来是可以用于保护电子线路的制造、使用与销售，但因为芯片上的这些电子线路一般是公知的，因此也就不具有专利性。制造芯片方法的专利或作为产品的芯片本身的专利一般来说并不保护（掩膜）设计。”[14]既然《美国芯片法》采用类似版权的保护方式并续接到美国版权法，故将其保护客体称为“掩膜作品”（类似版权保护客体的“作品”）而不是简单地称为“掩膜”也就顺理成章。按照《美国芯片法》的定义，“掩膜作品”是一套已固着或已编码的相关图象，它们
（A）具有或表示半导体芯片产品各层预定出现或不出现金属、绝缘或半导体材料形成的三维空间图形；并且
（B）此套图象之间的关系是每个图象在半导体芯片中都有一种形式的平面图形。[15]
《华盛顿条约》与
《中国集成电路条例》关于布图设计定义除个别词序外几乎一样，现将《华盛顿条约》第二条（2）款摘录如下：“布图设计（拓朴图）”是指集成电路中多个元件，其中至少有一个是有源元件，和其部分或全部集成电路互连的三维配置，或者是指为集成电路的制造而准备的这样的三维配置。
